3节锂电池保护ic 这些TWS耳机锂电保护IC卖爆了!2024上半年数据分析

小编 2024-11-24 资讯中心 23 0

这些TWS耳机锂电保护IC卖爆了!2024上半年数据分析

内置电池的应用,使的TWS耳机实现了完全无线化,从而为用户提供了非常便捷的使用体验。同时,为了保障内置锂电池的充放电安全,TWS耳机则需要搭载锂电保护IC,来实现过充、过放、过流,过温,短路等保护,从而延长电池的使用寿命,确保用户的使用安全。

随着上半年结束,我爱音频网也相继拆解了百余款新品,涵盖个人音频、智能穿戴、教育等12大品类。在其中的18款TWS耳机中,采用的锂电保护IC包括了3大芯片原厂推出的18款解决方案。

3大芯片原厂推出的锂电保护IC在18款TWS耳机中占比如下图所示: Winsemi稳先微41.66%、iCM创芯微29.17%、XySemi赛芯微电子29.17%。

18款锂电保护IC方案在18款TWS耳机产品中的应用数量如下如所示,其中创芯微CM1125系列、稳先微WSDF23C2N2H、赛芯微XB5152 ZR系列均获得了3款产品搭载,创芯微CM1125系列、赛芯微WSDF23A2N2H获得了两款产品应用,其余方案各搭载于一款机型上。

我爱音频网此前为大家分享了2024上半年TWS耳机音频主控芯片应用案例、2024上半年TWS耳机电源芯片应用案例,下面再来看看这些锂电保护IC的详细功能特性吧~

(按照品牌英文名称首字母A-Z排序,前往主页搜索应用案例名称,可查看详细拆解报告)

iCM创芯微

CM1127-CBS一体化锂电保护IC

iCM创芯微CM1127-CBS一体化锂电保护IC,内置有高精度电压检测电路和延迟电路,通过检测电池的电压、电流,实现对电池的过充电、过放电、过电流等保护。适用于单节锂离子/锂聚合物可充电电池的保护电路。

iCM创芯微CM1127-CBS详细资料图。

应用案例:

(1)OPPO Enco Air4 Pro真无线降噪耳机

CM1126B-DAC二合一单节电池保护IC

iCM创芯微CM1126B-DAC带船运模式二合一单节电池保护IC,内置有高精度电压检测电路和延迟电路,通过检测电池的电压、电流,实现对电池的过充电、过放电、过电流等保护,适用于单节锂离子/锂聚合物可充电电池的保护电路,更带有船运模式,使小容量电池包满足海运运输及长期存储需求。

iCM创芯微CM1126B-DAC详细资料图。

应用案例:

(1)Nothing CMF Buds真无线降噪耳机

CM1126B-WAC二合一单节电池保护IC

iCM创芯微CM1126B-WAC带船运模式二合一单节电池保护IC,内置有高精度电压检测电路和延迟电路,通过检测电池的电压、电流,实现对电池的过充电、过放电、过电流等保护,适用于单节锂离子/锂聚合物可充电电池的保护电路,更带有船运模式,使小容量电池包满足海运运输及长期存储需求。

iCM创芯微CM1126B-WAC详细资料图。

应用案例:

(1)OPPO Enco Air4 Pro真无线降噪耳机

CM1125-BAC单节锂电池保护IC

iCM创芯微CM1125-BAC集成MOSFET单节锂电池保护IC,内置有高精度电压检测电路和延迟电路,通过检测电池的电压、电流,实现对电池的过充电、过放电、过电流等保护。适用于单节锂离子/锂聚合物可充电电池的保护电路。

iCM创芯微CM1125-BAC详细资料图。

应用案例:

(1)QCY意象T13 X真无线耳机

(2)QCY AilyBuds Lite真无线耳机

CM1125-BBC锂电池保护IC

iCM创芯微CM1125-BBC集成MOSFET单节锂电池保护IC,内置有高精度电压检测电路和延迟电路,通过检测电池的电压、电流,实现对电池的过充电、过放电、过电流等保护。适用于单节锂离子/锂聚合物可充电电池的保护电路。

iCM创芯微CM1125系列详细资料图。

应用案例:

(1)Nothing CMF Buds真无线降噪耳机

CM1124-EAC单节锂电保护IC

iCM创芯微CM1124-EAC集成MOSFET单节锂电保护IC,内置有高精度电压检测电路和延迟电路,通过检测电池的电压、电流,实现对电池的过充电、过放电,过电流等保护。CM1124-EAC采用1*1mm,DFN-4封装,非常节省占板面积。

iCM创芯微CM1124-EAC详细资料图。

应用案例:

(1)ikko ActiveBuds智能无线耳机

WINSEMI稳先微

WSDF3316C锂电保护IC

WINSEMI稳先微WSDF3316C锂电保护IC。WSDF3316系列是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案,集成先进的功率MOSFET,高精度的电压检测电路和延时电路,具有过充、过放、过流、短路等电池需要的所有保护功能,并且工作时功耗非常低,同时还支持CTL船运模式设置。

WSDF3316C主要采用多脉冲船运模式(低功耗模式)、复位功能(断电重启硬复位功能),可防误触发船运,有效解决产品系统死机宕机的问题。

WINSEMI稳先微WSDF3316系列详细资料图。

应用案例:

(1)Marshall马歇尔MINOR IV真无线耳机

WSDY3302B锂电保护IC

WINSEMI稳先微WSDY3302B锂电保护IC。WSDY3302系列是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案,采用SOT23-5L封装,内部集成等效55mΩ的先进功率MOSFET,±25mV的高精度电压检测电路和延时电路,具有过充、过放、过流、短路等电池需要的所有保护功能,支持禁止向0V电池充电功能,拥有高ESD可靠性能力,并且工作时功耗非常低,正常工作电流:0.9μA,过放待机电流:<10nA。无铅、无卤素。

WINSEMI稳先微WSDY3302系列详细资料图。

应用案例:

(1)Redmi Buds 6活力版真无线耳机

WSDF2311B锂电保护IC

WINSEMI稳先微WSDF2311B锂电保护IC。WSDF2311系列是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案,采用DFN4L-1X1封装,内部集成等效55mΩ的先进功率MOSFET,±25mV的高精度电压检测电路和延时电路,具有过充、过放、过流、短路等电池需要的所有保护功能,支持0V电池充电功能。低静态电流,正常工作电流0.9μA,过放待机电流<10nA,同时还支持CTL船运模式设置。无铅、无卤素。

WINSEMI稳先微WSDF2311系列详细资料图。

应用案例:

(1)Baseus倍思Bowie W04 Plus真无线耳机

WSDF2310系列锂电保护IC

WINSEMI稳先微WSDF2310C锂电保护IC。WSDF2310系列是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案,包括了先进的功率 MOSFET,高精度的电压检测电路和延时电路,具有过充、过放、过流、短路等所有电池需要的保护功能,并且工作时功耗非常低,同时还支持CTL船运模式设置;无铅、无卤素。

WINSEMI稳先微WSDF2310系列详细资料图。

应用案例:

(1)Redmi Buds 6活力版真无线耳机

WSDF23A2N2H全集成锂电保护IC

WINSEMI稳先微WSDF23A2N2H全集成锂电保护IC,内置先进的功率 MOSFET,高精度的电压检测电路和延时电路,具有过充、过放、过流、短路等电池需要的所有保护功能,并且工作时功耗非常低,同时还带有CTL船运模式设置功能。WSDF23A2N2H具有非常小的DFN4L-1X1封装,非常适合应用于空间限制得非常小的可充电电池组应用。

WINSEMI稳先微WSDF23A2N2H详细资料图。

应用案例:

(1)BULL公牛TWS耳机GNV-VTA10H(S)

(2)PHILIPS飞利浦TAT1209真无线耳机

WSDF23C2N2H锂电保护IC

WINSEMI稳先微WSDF23C2N2H锂电保护IC,属于WSDF23系列,是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案。采用DFN4L-1X1超小封装,内置先进的功率MOSFET,高精度的电压检测电路和延时电路,具有过充、过放、过流、短路等电池需要的所有保护功能,并且工作时功耗非常低,同时还带有CTL船运模式设置功能。

WINSEMI稳先微WSDF23C2N2H详细资料图。

应用案例:

(1)OnePlus一加Buds Pro 2真无线降噪耳机

(2)SoundPEATS泥炭Air4真无线降噪耳机

(3)OPPO Enco R3真无线耳机

WSDF13H2Y2H锂电保护IC

WINSEMI稳先微WSDF13H2Y2H锂电保护IC。WSDF13H2Y2H产品是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案,包括了先进的功率MOSFET,高精度的电压检测电路和延时电路,具有过充、过放、过流、短路等电池需要的所有保护功能,并且工作时功耗非常低。同时具有非常小的DFN4L-1×1封装,使得该器件非常适合应用于空间限制得非常小的可充电电池组应用。

WINSEMI稳先微WSDF13H2Y2H详细资料图。

应用案例:

(1)JLab GO AIR POP真无线耳机

XySemi赛芯微电子

XB5153 S系列一体化锂电保护IC

苏州赛芯电子科技股份XB5153I2S一体化锂电保护IC,XB5153 S系列是一款锂离子/聚合物电池保护的高集成解决方案,采用超小型SOT23-5封装,集成先进的功率MOSFET、高精度电压检测电路和延迟电路,是电池组有限空间的理想解决方案。

苏州赛芯电子科技股份XB5153系列详细资料图。

应用案例:

(1)TOZO T6真无线耳机

XB5152 ZR系列一体化锂电保护IC

苏州赛芯电子科技股份XB5152J2SZR一体化锂电保护芯片,采用SOT23-5封装,内置导阻52mΩ的保护管,具有充电器反接保护、负载反反接保护功能。

苏州赛芯电子科技股份XB5152 ZR系列一体化锂电保护芯片支持过热保护、电池过充保护、放电过流保护和负载短路保护。支持充电器检测,对于电压低于1.15V的电池拒绝充电。内置高精度电压检测,高精度的过充检测确保电池充满而不会过充。XB5152 ZR示列具有1.5μA静态功耗和50nA的关机功耗。可用于单节锂离子电池及锂离子聚合物电池组的保护。

苏州赛芯电子科技股份XB5152 ZR系列详细资料图。

应用案例:

(1)ikko ActiveBuds智能无线耳机

(2)Redmi Buds 5 Pro真无线降噪耳机

(3)Xiaomi小米Buds 4真无线降噪耳机

XB5332A一体化锂电池保护芯片

苏州赛芯电子科技股份XB5332A锂电池一体化保护芯片,XB5332A是锂离子/聚合物电池保护的高集成度解决方案;XB5332A包含先进的功率MOSFET、高精度电压检测电路和延迟电路;XB5332A采用超小型SOT23-5封装,只有一个外部组件,是电池组有限空间的理想解决方案。

XB5332A具有电池应用所需的所有保护功能,包括过充电、过放电、过电流和负载短路保护等。准确的过充电检测电压确保安全和充分利用充电;在存储过程中,低备用电流几乎不消耗电池的电流。该设备适用于任何需要长期电池供电的锂离子和锂多电池信息设备。

苏州赛芯电子科技股份XB5332A详细资料图。

应用案例:

(1)PHILIPS飞利浦TAT1209真无线耳机

XB5332B一体化锂电池保护芯片

苏州赛芯电子科技股份有限公司的XB5332B锂电池一体化保护芯片,集成功率MOSFET、高精度电压检测电路和延迟电路。XB5332B采用超小型SOT23-5封装中,外围只有两个元件,使其成为电池组有限空间的理想解决方案。

XB5332B具有电池应用中所需的所有保护功能,包括过充电、过放电、过电流和负载短路保护等。准确的过充电检测电压确保安全和充分利用充电。

苏州赛芯电子科技股份有限公司XB5332B详细资料图。

应用案例:

(1)QCY意象T13 ANC真无线降噪耳机

XB5225J2SZ一体化锂电池保护芯片

苏州赛芯电子科技股份有限公司的XB5225J2SZ锂电池一体化保护芯片,负责电池的过充电、过放电、过电流和负载短路等保护。

应用案例:

(1)OPPO Enco R3真无线耳机

我爱音频网总结

锂电保护IC在TWS耳机的应用中,有着多方面的因素需要考虑。一方面,TWS耳机充电盒和两只独立的耳机均内置有锂电池,所以使用的锂电保护IC数量是其他单电池产品的3倍,加上TWS耳机是一款穿戴产品,因此对于产品的安全性有着更高要求;另一方面,TWS耳机的便携性,限制了其内部空间,因此需要集成度高、尺寸小巧的方案。

通过此篇文章可以了解到,目前iCM创芯微、Winsemi稳先微、XySemi赛芯微电子3大芯片原厂均推出了一体化锂电保护IC方案,同时针对于充电盒和耳机应用,提供了不同的尺寸选择。多款方案还已支持船运模式,使小容量电池包的TWS耳机也能满足海运运输及长期存储的需求。

DW03A 二合一锂电池保护 IC

概述

DW03A产品是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案。DW03A包括了先进的功率MOSFET,高精度的电压检测电路和延时电路。

DW03A具有过充,过放,过流,短路等所有的电池所需保护功能,并且工作时功耗非常低。

该芯片适用于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供电的各种信息产品的应用场合。

特点

内 部 集 成 等 效 21m Ω 左 右 的 先 进 的 功 率MOSFET;

2 段放电过流保护:过放电流 1 、负载短路电流;

充电过流保护

具有 0V 充电功能

延时时间内部设定;

高精度电压检测;

低静态耗电流:正常工作电流 3.0uA

兼容 ROHS 和无铅标准。

采用 TSSOP-8 封装形式塑封。

应用

单芯锂离子电池组;

锂聚合物电池组。

引脚示意图及说明

极限参数

电气特性参数

功能描述

DW03A 是一款高精度的锂电池保护电路。正常状态下,如果对电池进行充电,则 DW03A 可能会进入过电压充电保护状态;同时,满足一定条件后,又会恢复到正常状态。如果对电池放电,则可能会进入过电压放电保护状态或过电流放电保护状态;同时,满足一定条件后,也会恢复到正常状态。

正常状态

在正常状态下,DW03A 由电池供电,其 VDD 端电压在过电压充电保护阈值 VOC和过电压放电保护阈值 VOD之间,VM 端电压在充电器检测电压(VCHG)与过电流放电保护阈值(VEDI)之间,内置 N-MOS 管导通。此时,既可以使用充电器对电池充电,也可以通过负载使电池放电。

过电压充电保护状态

保护条件

正常状态下,对电池进行充电,如果使 VDD 端电压 升高超过过电压充电保护阈值 VOC,且持续时间超过过 电压充电保护延迟时间 tOC,则 DW03A 将使内置 N-MOS 管关闭,充电回路被“切断”, 即 DW03A 进入过电压充电保护状态。

恢复条件

有以下两种条件可以使 DW03A 从过电压充电保 护状态恢复到正常状态:

1)电池由于“自放电”使 VDD 端电压低于过电压充电恢复阈值 VOCR;

2)通过负载使电池放电(注意,此时虽然 内置 N-MOS 管 关闭,但由于其体内二极管的存在,使放电回路仍然存在),当 VDD 端电压低于过电压充电保护阈值 VOC,且 VM 端电压高于过电流放电保护阈值VEDI(在内置 N-MOS 管 导通以前,VM 端电压将比GND 端高一个二极管的导通压降)。

DW03A 恢复到正常状态以后,内置 N-MOS 管回到导通状态。

过电压放电保护/低功耗状态

保护条件

正常状态下,如果电池放电使 VDD 端电压降低至过 电压放电保护阈值 VOD,且持续时间超过过电压放电保护延迟时间tOD,则 DW03A 内置N- MOS 管关闭,放电回路被“切断”,即 DW03A 进入过电压放电保护状态。同时,VM 端电压将通过内部电 阻 RVMD 被上拉到 VDD。

恢复条件

当充电器连接上,并且VM 电压低于充电器检测电压 VCHG时,电池电压升高到过电压放电保护阈值 VOD 以上时,DW03A 内置N- MOS 管导通,芯片进入正常模式。如果VM 电压不低于充电器检测电压 VCHG,那么电池电压升高到过电压放电恢复阈值VODR以上时,DW03A 内置N- MOS 管导通,芯片进入正常模式。

过电流放电/负载短路保护状态

保护条件

正常状态下,通过负载对电池放电,DW03A 电路的 VM 端电压将随放电电流的增加而升高。如果放电电流增加使 VM 端电压超过过电流放电保护阈值 VEDI,且持续时间超过过电流放电保护延迟时间 tEDI,则 DW03A 进入过电流放电保护状态;如果放电电流进一步增加使 VM 端电压超过电池短路保护阈值 VSHORT,且持续时间超过短路延迟时间 tshort,则 DW03A 进入电池短路保护状态。

DW03A 处于过电流放电/负载电池短路保护状态时, 内置 N-MOS 管关闭,放电回路被“切断”;同时,VM 端将通过内部电阻 RVMS 连接到 GND,放电负载取消后, VM 端电平即变为 GND 端电平。

恢复条件

在过电流放电/电池短路保护状态下,当 VM 端电压 由高降低至低于过电流放电保护阈值 VEDI,且持续时间 超过过电流放电恢复延迟时间 tEDIR,则 DW03A 可恢复 到正常状态。因此,在过电流放电/电池短路保护状态下, 当所有的放电负载取消后,DW03A即可“自恢复”。

DW03A 恢复到正常状态以后,内置 N-MOS 回到导通状态。

过电流充电保护状态

保护条件

正常状态下,通过电源对电池充电,DW03A 电路的 VM 端电压将随充电电流的增加而下降。如果充电电流增加使 VM 端电压超过过电流充电保护阈值 VECI,且持续时间超过过电流充电保护延迟时间 tECI,则 DW03A 进入过电流充电保护状态。

恢复条件

在过电流充电保护状态下,当 VM 端电压 由低升高至高于过电流充电保护阈值 VECI,且持续时间超过过电流充电恢复延迟时间 tECIR,则 DW03A 可恢复 到正常状态。DW03A 恢复到正常状态以后,内置 N-MOS 回到导通状态。

0V 电池充电

0V 电池充电允许

对于 0V 电池充电允许的电路,如果使用充电器对电池充电,使 DW03A 电路的 VDD 端相对 VM 端的电压大于 0V 充电允许阈值 V0V_CHG 时,则通过内置 N-MOS 管的体内二极管可以形成一个充电回路,使电池电压升高;当电池电压升高至使 VDD 端电压超过过电压放电保护阈值 VOD 时,DW03A 将回到正常状态,同时内置 N-MOS 回到导通状态。

注: 当电池第一次接上保护电路时,可能不会进入正常模式,此时无法放电。如果产生这种现象,使 VM 管脚电压等于 GND 电压(将 VM 与 GND 短接)或连接充电器,就可以进入正常模式。

典型应用电路图

注意:1、注意输入输出电压和负载电流情况,保证芯片功耗不超过封装所承受的最大功耗。

2、本产品具有防静电保护功能,但不要超过产品最大的承受静电能力。

封装信息

TSSOP-8

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